Ydeevnen og pålideligheden af moderne RF- og mikrobølgekomponenter, såsom filtre, diplexere og forstærkere, er fundamentalt understøttet af deres emballagematerialer. En nylig brancheanalyse giver en klar sammenligning af de tre dominerende keramiske substratmaterialer - aluminiumoxid (Al₂O₃), aluminiumnitrid (AlN) og siliciumnitrid (Si₃N₄) - der hver især betjener forskellige markedssegmenter baseret på et forhold mellem ydelse og omkostninger.
Materialeopdeling og nøgleanvendelser:
Aluminiumoxid (Al₂O₃):Den etablerede, omkostningseffektive løsning. Med en varmeledningsevne på 25-30 W/(m·K) dominerer den prisfølsomme applikationer som forbrugerelektronik og standard LED-belysning og har over 50% af markedet.
Aluminiumnitrid (AlN):Det foretrukne valg forhøjfrekvente og højeffektscenarierDens exceptionelle varmeledningsevne (200-270 W/(m·K)) og lave dielektriske tab er afgørende for at aflede varme og opretholde signalintegriteten i5G basestation effektforstærkereog avancerede radarsystemer.
Siliciumnitrid (Si₃N₄):Mesteren inden for høj pålidelighed. Med den bedste mekaniske styrke og fremragende termisk stødmodstand er den uundværlig til missionskritiske applikationer under ekstrem belastning, såsom inden for luftfart og næste generations strømmoduler til elektriske køretøjer.
PåKoncept Mikrobølgeovn,Vi har en dyb forståelse af dette materialevidenskabelige fundament. Vores ekspertise inden for design og fremstilling af højtydende passive mikrobølgekomponenter, herunder hulrumsfiltre, diplexere og specialbyggede enheder, er bygget på valg af de optimale materialer som AlN- eller Si₃N₄-substrater. Dette sikrer, at vores produkter leverer den nødvendige termiske styring, signalrenhed og langsigtede pålidelighed, der kræves til krævende applikationer inden for telekommunikation, satellit- og forsvarssystemer.
Opslagstidspunkt: 30. januar 2026